数字储存设备已是我们生活中不可或缺的东西，但数字媒介的使用寿命却越来越令人担忧。现在你可以把这一切抛之脑后了，加州大学伯克利分校的Alex Zettl和他的研究小组开发出一种实验性的记忆设备，它可以稳定储存超过10亿年，容量也是目前储存设备的数千倍。他们的报告发表在6月份美国化学学会的《纳米快报》(摘要)上。 新的记忆储存设备由晶体状的铁纳米微粒组成，它们被封装在多层碳纳米管内，其储存密度最高可以达每英寸1TB。通过施加低电压，纳米微粒能在纳米管内移动，利用纳米微粒位置所代表的二重状态对设备进行数据写入。随后可用简单的电压测定读取数据，逆转纳米微粒的移动，允许设备中的“比特”被重写。如此创造出了类似硅芯片的可编程记忆系统，它能在很长的时间内保存高密度数据。
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